金属/半导体肖特基接触模型研究进展

• 作者: 徐文慧 杨旭 王光伟 郑宏兴
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基接触 肖特基势垒高度 理想因子 非单晶界面 势垒高度不均匀性
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 149-153
• 分类号: TN304.055|TN311+.8
• 字数: 3339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.02.05

摘要

在分析理想金属/半导体肖特基接触的基础上,概述了一般情形下肖特基接触的形成机理和影响因素.金属/半导体间的界面层使得肖特基势垒高度(SBH)对功函数的依赖减弱,也导致SBH与外加偏压有关.研究证实,多种因素,如界面晶向、原子结构、化学键和结构不完整性等,都会造成SBH的空间不均匀分布.该特性在肖特基接触中普遍存在,并对基于肖特基结的器件工作有显著影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑宏兴	天津工程师范大学电子工程学院	32	122	6.0	9.0
2	王光伟	天津工程师范大学电子工程学院	18	78	5.0	8.0
3	徐文慧	天津工程师范大学电子工程学院	1	7	1.0	1.0
4	杨旭	天津工程师范大学电子工程学院	6	62	4.0	6.0