SiGe异质结晶体管技术的发展

• 作者: 刘英坤 贾素梅 辛启明
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe技术 SiGe 外延 SiGe HBT SiGe BiCMOS SiGe FET
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 672-676,729
• 分类号: TN433
• 字数: 4422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.09.005

摘要

以全球信息产业需求及技术发展为背景,回顾了以能带工程为基础的、在现代通信领域得到广泛应用的SiGe异质结晶体管技术的发展历程.介绍了分子束外延、超高真空化学气象淀积和常压化学气象淀积3种典型的SiGe外延技术并对比了这三种技术的优缺点.在此基础上,对SiGe HBT技术进行了分析总结并列举了其典型技术应用.以IBM的SiGe BiCMOS技术为例,介绍了目前主流的SiGe异质结晶体管技术- SiGe BiCMOS技术的研究现状及典型技术产品.最后对正在发展中的SiGe FET技术做了简要介绍.在回顾了SiGe异质结晶体管技术发展的同时,认为未来SiGe异质结晶体管技术的提高将主要依赖于超薄SiGe基区外延技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	183	8.0	12.0
2	辛启明	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	20	1.0	2.0
3	贾素梅	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	19	1.0	1.0