不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及沿面闪络特性的影响

• 作者: 于开坤 小林信一 山纳康 张冠军 李光新 田杰 郑楠 马新沛 黄学增
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 沿面闪络 可加工陶瓷 二次电子发射系数 真空
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 电工材料
• 页码范围: 23-28,33
• 分类号: TM28|TM85
• 字数: 5603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6753.2011.01.005

摘要

固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性,长期以来这一现象极大地制约着真空绝缘系统的整体性能,限制了高压电真空设备的发展进程.本文针对一种具有良好加工性能及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景,在不明显降低可加工性能的前提下,通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物Cu2O以及Cr2O3,研究掺杂之后材料的二次电子发射系数的变化,对不同掺杂工艺下试品的沿面闪络电压进行研究.结果发现:掺杂低二次电子发射系数金属氧化物能够相应降低可加工陶瓷材料的二次电子发射系数,通过研究不同加工工艺条件下材料的闪络电压,发现试样的闪络电压随其二次电子发射系数的降低而提高.