外加偏压对未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触特性的影响

• 作者: 姚素英 徐文慧 王光伟 马兴兵
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 变温I-V测试 外加偏压 肖特基结 表观理想因子 肖特基势垒高度的不均匀性
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 68-70
• 分类号: TN311+.8
• 字数: 2212字
• 语种: 中文

摘要

采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜.俄歇电子谱(AES)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15.对薄膜进行高温磷扩散后,经XRD测试为多晶态,即得n-poly-Si0.85Ge0.15.在n-poly-Si0.85Ge0.15上溅射一层薄的Co膜,做成Co/n-poly-Si085Ge0.15肖特基结样品.在90～332 K范围对未退火样品做I-V-T测试.研究发现,随着外加偏压增大,表观理想因子缓慢上升,肖特基势垒高度(SBH)下降.基于SBH的不均匀分布建模,得到了二者近似为线性负相关的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐文慧	天津职业技术师范大学电子工程学院	5	3	1.0	1.0
2	王光伟	天津大学电信学院	18	31	3.0	5.0
4	姚素英	天津大学电信学院	160	911	14.0	21.0
7	马兴兵	天津职业技术师范大学电子工程学院	4	3	1.0	1.0