偏压对CrAlTi(Ce)N薄膜的制备和性能的影响

• 作者: 佟玉玲 刘兆政 刘耀辉 狄驰
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 偏压 稀土Ce 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 80-84
• 分类号: TG174.44
• 字数: 1841字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.01.16

摘要

本文通过使用Teer-UDP450磁控溅射设备制备CrAlTi(Ce)N薄膜,实验过程中改变偏压.使 用了原子力显微镜、X射线衍射仪对CrAlTi(Ce)N薄膜进行分析和研究.试验结果表明:CrAl Ti(Ce)N薄膜生长速度随着偏压值的增加而减小;CrAlTi(Ce)N薄膜中XRD衍射峰发生变化,偏压值从60 V升高到100 V,(111)峰择优生长趋势明显,偏压120 V时出现非晶态;CrAlTi(Ce)N薄膜的粗糙度随着偏压值的增加而降低;CrAlTi(Ce)N薄膜的柱状晶尺寸随着偏压值的升高而减小,但当偏压值为120 V时,CrAlTi(Ce)N薄膜为非柱状晶结构,CrAlTi(Ce) N薄膜表面出现弹坑形状.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘耀辉	吉林大学材料科学与工程学院	84	1118	16.0	30.0
2	狄驰	东北电力大学能源与机械工程学院	6	30	3.0	5.0
3	刘兆政		1	6	1.0	1.0
4	佟玉玲		1	6	1.0	1.0