红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究

• 作者: 傅德颐 刘斌 华雪梅 张荣 施毅 李毅 苏辉 谢自力 赵红 郑有炓 韩平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 金属有机化学气相沉积 光致荧光谱 原子力显微镜 红橙光
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 747-750
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.10.003

摘要

采用金属有机物化学气相沉积( MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD) ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28％.比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度.室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近.变温PL (15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm.由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的“S”变化趋势.