脉冲射频/4O kV高压直接耦合等离子体离子注入电源系统研制

• 作者: 巩春志 朱宗涛 杨士勤 田修波
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲射频 高压脉冲 直接耦合 等离子体离子注入
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺设备
• 页码范围: 357-361
• 分类号: TN224
• 字数: 3023字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.03.21

摘要

研制的用于等离子体浸没离子注入(PⅢ)的电源系统采用高压隔离与高频滤波技术,将40 kV高压脉冲电源与13.56 MHz射频电源直接耦合,由单一输出电缆连接到实验靶台上,通过射频与高压脉冲的时序控制,实现了40 kV的高压脉冲与脉冲射频交替输出.工作过程中,通过射频产生等离子体,而后施加高压脉冲获得离子注入,进而实现PⅢ与沉积.该电源系统的性能指标为:高压脉冲电压幅值10～40 kV,脉冲频率10～1000 Hz,射频脉冲宽度0.01～10 ms,射频与高压间隔01～10 ms,高压脉冲功率6 kW,射频脉冲功率1 kW.实验研究表明能够有效的实现PⅢ.本文将介绍该种新电源的设计思想、电路以及在内凹零部件(如管筒内壁)等离子体离子注入等方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巩春志	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	69	320	9.0	14.0
2	田修波	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	106	515	11.0	17.0
3	杨士勤	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	93	787	14.0	22.0
4	朱宗涛	哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室	6	82	3.0	6.0