新一代CMOS器件栅介质材料研究进展

• 作者: 刘昌鑫 周松华 郭鸣
• 来源期刊: 井冈山大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高介电常数 栅介质 等效氧化层厚度 漏电流
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 信息科学
• 页码范围: 76-81
• 分类号: TN304.2
• 字数: 6215字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8085.2011.05.017

摘要

随着微电子技术的飞速发展,按照摩尔定律发展的要求,SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈.寻求代替SiO2的其它新一代高k栅介质已成为当今微电子技术发展的必然趋势.文章介绍了几种最有可能成为下一代栅介质的高k材料,并对其研究进展和存在的问题进行了阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘昌鑫	井冈山大学电子与信息工程学院	42	203	9.0	12.0
2	郭鸣	井冈山大学电子与信息工程学院	10	9	2.0	2.0
3	周松华	井冈山大学电子与信息工程学院	9	19	2.0	4.0