ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响

• 作者: 朱顺明 陈慧 顾书林
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnMgO薄膜 衬底 生长压强
• 年，卷（期）: 2011,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 482-486
• 分类号: O482.31
• 字数: 2455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113205.0482

摘要

利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5 kPa和5 kPa生长压强下,分别以sapphire (Al2O3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜.研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质.结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响.5 kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺人.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱顺明	南京大学物理系南京微结构国家重点实验室	20	72	5.0	7.0
2	顾书林	南京大学物理系南京微结构国家重点实验室	46	261	9.0	14.0
3	陈慧	南京大学物理系南京微结构国家重点实验室	20	49	5.0	6.0