厚度对DLC薄膜内应力的影响研究

• 作者: 吕乐阳 毛斐 汤皎宁 虞烈 谷坤明
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: ECR-CVD DLC膜 内应力
• 年，卷（期）: 2011,（z1）
• 页码范围: 102-105
• 分类号: O484
• 字数: 3139字
• 语种: 中文

摘要

采用ECR微波等离子体增强化学气相沉积的方法于C1H2/H2/Ar2等离子环境中在单晶Si(111)晶面上制备了不同厚度的DLC膜样品,研究了薄膜的厚度随沉积时间的变化及薄膜的硬度、内应力随厚度的变化关系.结果表明,在沉积时间变化范围内,厚度与沉积时间基本呈线性关系,沉积速率可达80nm/min;制备态样品存在的内应力先随厚度增加而增加,当薄膜内应力超过某临界值时将通过表面崩裂达到应力松弛效果,XRD测得基底Si(111)峰位偏移先随厚度增加而增加,随后变化趋于平缓,表明薄膜表面崩裂后内应力维持在一定水平,但薄膜的硬度测量值受到表面崩裂程度影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汤皎宁		19	112	8.0	9.0
2	谷坤明		4	25	3.0	4.0
3	虞烈	西安交通大学机械学院	174	3150	31.0	46.0
4	吕乐阳		1	10	1.0	1.0
5	毛斐		1	10	1.0	1.0