EPROM脉冲总剂量损伤效应实验研究

• 作者: 何宝平 姚志斌 张凤祁 张科营 王园明 罗尹虹 郭红霞
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 工学
• 关键词: EPROM 阈值电压 脉冲总剂量
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 页码范围: 752-756
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3180字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2011.07.010

摘要

针对目前国内存储器辐照效应研究大多集中于功能测试,所测参数少的现状,提出了浮栅型存储器阈值电压的测试方法,并对浮栅型存储器EPROM初步开展了脉冲总剂量对器件阈值电压影响的效应研究,分析了损伤机理.研究结果表明,脉冲总剂量引起存储单元阈值电压向负方向发生明显漂移,在不加电和静态加电两种情况下,存储单元阈值电压漂移基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	姚志斌		35	171	8.0	10.0
6	张科营		23	111	7.0	8.0
7	王园明		10	51	4.0	7.0