Si掺杂β-Ga2O3的第一性原理计算与实验研究

• 作者: 张易军 谢万峰 赵刚 闫金良
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 超软赝势 密度泛函理论 Si掺杂β-Ga2O3
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 560-566
• 分类号: O481
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(USPP)法,在广义梯度近似(GGA)下计算了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和光学特性.在蓝宝石衬底(0001)晶面上用脉冲激光沉积(PLD)法制备了本征β-Ga2O3和Si掺杂β-Ga2O3薄膜,测量了其吸收光谱和反射光谱.Si掺杂后β-Ga2O3的整个能带向低能端移动,呈现n型导电性,光学带隙增大,吸收带边蓝移,反射率降低.计算结果与相关实验结果完全符合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫金良	鲁东大学物理学院	25	100	5.0	8.0
2	谢万峰	鲁东大学物理学院	2	7	2.0	2.0
3	张易军	鲁东大学物理学院	4	14	3.0	3.0
4	赵刚	鲁东大学物理学院	3	4	1.0	2.0