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摘要:
采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜,系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响.结果表明,烧结温度、膜的层数以及纵向磁场后退火处理均有效提高了LMO的巨磁阻抗比,其中纵向直流磁场后退火处理提高薄膜阻抗比效果最显著,经过10 Oe、400℃恒温1 h磁场后退火处理后,在频率5 MHz、100 Oe外磁场下其磁阻抗比达15.8%,相比未后处理样品磁阻抗比提高了一倍,其对应的磁场灵敏度为0.16%/Oe.同时,实验发现磁场后退火不仅影响薄膜的巨磁阻抗比,也会改变阻抗比极大值瑚对应的激励频率,这一现象目前仍在探究中.
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文献信息
篇名 用于高灵敏微磁传感器的LMO膜制备与分析
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 磁传感器 巨磁阻抗 溶胶凝胶 LaMnOx薄膜 纵向磁场后退火 各向异性
年,卷(期) 2011,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 103-107,127
页数 分类号 TP212.13
字数 2913字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.02.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王三胜 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 26 114 5.0 9.0
5 郭恺 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 1 1 1.0 1.0
9 程远超 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 1 1 1.0 1.0
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LaMnOx薄膜
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