砷化镓光导开关的畴电子崩理论分析

• 作者: 刘鸿 郑理 阮成礼
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 光导开关 强电场作用 高载流子密度效应 稳定增长 畴电子崩 流注传播
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 论文2
• 页码范围: 679-684
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-011-4426-y

摘要

在分析半绝缘(SI)砷化镓光导开关(PCSS)中丝状电流(流注)形成和传播的实验结果的基础上,提出了高增益砷化镓光导开关中的畴电子崩(EAD)理论.该理论完善了EAD概念,揭示了高增益GaAs PCSS中局域内的强电场作用和高载流子密度效应使非平衡载流子密度稳定增长,从而导致流注形成.应用EAD理论合理地解释了GaAs PCSS中电流丝的形成和传播,解释了在器件两端的偏置电场低于载流子本征碰撞电离的电场阈值条件下器件中存在载流子雪崩生长等实验现象,结果表明在这类具有转移电子效应的半导体器件中,EAD理论是分析流注形成的基本理论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑理		8	12	2.0	3.0
2	阮成礼		55	513	14.0	19.0
3	刘鸿		6	1	1.0	1.0