高压GaAs微型太阳电池阵列的制备

• 作者: 吴金良 姚建曦 尹志刚 张兴旺 张汉 汪宇 王俊 王彦硕 白一鸣 陈诺夫 黄添懋
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微型电源 GaAs太阳电池 漏电流 湿法腐蚀工艺 互连结构
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 220-224,247
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2992字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.04.003

摘要

为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进.通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制.采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流.经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列.电流-电压(Jsc-Voc)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2 V,填充因子为57%.