基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究

• 作者: 刁雄辉 刘毅 李佑国 李启文 李学金 林晓东 胡居广 龙井华
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 紫外探测器 MgZnO薄膜 温度 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 330-335
• 分类号: TN364.2
• 字数: 3392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2011.03.004

摘要

用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300 ℃～600℃制备了MgZnO薄膜.由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600 ℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量.在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性.传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9.1 ms,下降时间常数为16.5 ms.