非接触四波混频技术测试InP单晶

• 作者: 孙聂枫 朱嘉祯 李晓岚 杨帆 杨瑞霞 潘静 骆新江
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 晶体 四波混频 深陷阱 载流子动力学
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 97-100
• 分类号: TN304.25
• 字数: 2544字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.02.001

摘要

利用四波混频(FWM)技术测试了非掺杂、掺Fe半绝缘InP单晶的光电特性, 对载流子的产生、复合和输运等过程进行了研究,分析了深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释.利用光栅衰减动力学得到在不同激发水平下非平衡自由载流子的扩散系数和复合时间.通过分析衍射效率和激发能量之间的相互关系,测定了缺陷的电学特性,即它们在光照下的传输和对载流子传输的贡献.这种技术可以通过测量时间和空间上的载流子分布,进而利用光学技术测试半导体材料的光电特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	杨帆	河北工业大学信息工程学院	84	332	9.0	14.0
3	孙聂枫	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	39	4.0	5.0
4	潘静	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	6	2.0	2.0
5	朱嘉祯	澳大利亚国立大学工程与计算机科学学院	1	0	0.0	0.0
6	李晓岚	河北工业大学信息工程学院	4	15	2.0	3.0
7	骆新江	杭州电子科技大学天线与微波技术研究所	14	55	5.0	6.0