适用于间接矩阵变换器的IGBT驱动保护电路设计

• 作者: 常娜卿 李正熙 梅杨
• 来源期刊: 电气传动
• 学科: 工学
• 关键词: 间接矩阵变换器 绝缘栅双极型晶体管 M57962 驱动保护电路
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 60-64
• 分类号: TM461
• 字数: 3166字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2095.2011.01.015

摘要

针对间接矩阵变换器中开关器件多,电路拓扑复杂的特点,设计了一种适用于间接矩阵变换器的绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的驱动保护电路.该电路基于M57962厚膜电路,并设有隔离电源和阈值电压调节电路,可以有效实现矩阵式变换器各个开关器件的隔离供电,以及对各开关器件的过流保护阈值的精确控制和调节,可推广运用于不同型号的开关器件.实验结果表明IGBT器件的开通时间为350 ns,关断时间为700 ns,在过流保护阈值电压设定为1. 45 V(对应采用IGBT器件的工作电流为30 A)时,器件可在4μs内完全关断.从而证明了设计的驱动保护电路可以安全可靠地实现IGBT的开通、关断和过流保护,保障系统的稳定运行.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李正熙	北方工业大学电力电子与电气传动工程中心	146	1349	19.0	30.0
2	梅杨	北方工业大学电力电子与电气传动工程中心	28	134	8.0	11.0
3	常娜卿	北方工业大学电力电子与电气传动工程中心	5	12	2.0	3.0