Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

• 作者: 介万奇 查钢强 郝建伟
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 量子结构 激子效应 量子尺寸效应
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 87-91
• 分类号: TN304.2+5|O472
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2011.06.018

摘要

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程.以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响.以此为基础,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院	272	1636	19.0	27.0
2	查钢强	西北工业大学材料学院	38	93	5.0	7.0
3	郝建伟		2	14	2.0	2.0