InP单晶的磁光和热电效应

• 作者: 孙聂枫 李晓岚 杨瑞霞 潘静
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁光电导率 霍尔效应 塞贝克效应 磷化铟 有效质量
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 1-3,44
• 分类号: TN304.23
• 字数: 2616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.001

摘要

对同一原生非掺杂InP单晶进行了一系列物理测试分析,研究了材料的光电导率与温度的依从关系,在295～318 K内,温度系数为-3×104 eV/K,测得的室温禁带宽度为1.339 2 eV.禁带宽度Eg的磁性系数为8.6×10-4eV/T,材料的磁光特性测量结果为1.8 T.由此数据可得,约化电子有效质量mr*为0.067m0.由热电功率测量结果可得室温塞贝克系数为565 μV/K.由此值以及霍尔测量值,可计算出状态密度有效质量md为0.075 7m0.由该值和上面提到的约化电子有效质量可得到InP样品的价带电子有效质量mv*为0.591m0.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	孙聂枫	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	39	4.0	5.0
3	潘静	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	6	2.0	2.0
4	李晓岚	河北工业大学信息工程学院	4	15	2.0	3.0