NEA GaN光电阴极的制备与评估

• 作者: 付晓倩 李彪 杜玉杰 王晓晖 高频
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN光电阴极 NEA 制备工艺
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 332-335
• 分类号: TN223
• 字数: 2712字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.005

摘要

对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEAGaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了P型掺杂浓度为1.6×1017cm-3发射层厚度150 am的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEAGaN光电阴极.利用实验室制备的多信息量测试系统对成功激活后的NEAGaN光电阴极进行了评估,结果显示:NEAGaN光电阴极的反射式量子效率达到了30%,透射式量子效率达到了12%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高频	南京理工大学电子工程与光电技术学院	12	88	6.0	9.0
2	王晓晖	南京理工大学电子工程与光电技术学院	18	92	6.0	8.0
3	杜玉杰	南京理工大学电子工程与光电技术学院	10	74	6.0	8.0
4	李彪	南京理工大学电子工程与光电技术学院	1	2	1.0	1.0
5	付晓倩	南京理工大学电子工程与光电技术学院	1	2	1.0	1.0