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摘要:
文章讨论了三维拓扑绝缘体制备和输运性质研究方面的进展情况.首先介绍了拓扑绝缘体体材料和薄膜的制备,并介绍了文章作者利用分子束外延方法,在硅表面以及高介电常数材料钛酸锶表面生长高质量拓扑绝缘体Bi2 Se3薄膜的工作.然后介绍了拓扑绝缘体输运研究的现状,以及文章作者在栅电压调控拓扑绝缘体外延薄膜的化学势和输运性质方面的研究成果.
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文献信息
篇名 拓扑绝缘体薄膜生长与栅电压调控输运特性研究
来源期刊 物理 学科 物理学
关键词 拓扑绝缘体 薄膜 电子输运 Bi2 Se3
年,卷(期) 2011,(7) 所属期刊栏目 拓扑绝缘体专题
研究方向 页码范围 440-448
页数 分类号 O484.1
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴克辉 中国科学院物理研究所 7 33 2.0 5.0
2 李永庆 中国科学院物理研究所 5 4 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
拓扑绝缘体
薄膜
电子输运
Bi2 Se3
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理
月刊
0379-4148
11-1957/O4
大16开
北京603信箱
2-805
1951
chi
出版文献量(篇)
4702
总下载数(次)
20
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导