大气与真空下功率VDMOS散热特性研究

• 作者: 丁凯凯 冯士维 刘静 郭春生
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 热分析 功率VDMOS 真空 可靠性 热设计
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 510-515
• 分类号: TN386
• 字数: 3471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.07.004

摘要

针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型.真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃.找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据.分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭春生	北京工业大学电子信息与控制工程学院	44	302	10.0	15.0
2	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
3	刘静	北京工业大学电子信息与控制工程学院	36	110	7.0	8.0
4	丁凯凯	北京工业大学电子信息与控制工程学院	1	2	1.0	1.0