TOSA中pin背光探测器的P-I非线性特性研究

• 作者: 丁国庆 杜治国
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光发射组件 pin背光探测器 P-I非线性 光吸收层 载流子漂移速度 光传输速度
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 119-123
• 分类号: TN36
• 字数: 3360字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.02.007

摘要

TOSA中用到的pin背光探测器是监测与控制LD前光输出特性的敏感器件,其光功率(P)和光电流(I)应具有线性关系.测试发现,不同结构和尺寸的探测器的P-I特性可能有所不同.目前普遍使用的正面进光的pin平面型光探测器,常存在某种范围的P-I非线性.分析指出, 这种非线性与器件内部结构、表面接触层情况、入射光密度、外加负偏压大小和负载电阻有关;并指出,当pin-PD中pi结位置合适、外加负偏压1.5 V以上,负载电阻1kΩ,LD前光入射光功率8mW以下,则pin背光探测器的P-I非线性可忽略.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁国庆		15	15	2.0	2.0
2	杜治国		2	0	0.0	0.0