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摘要:
采用2μm设计规则,在2μm工艺线上,成功研制了1 024×1 024全帧CCD器件。该1 024×1 024全帧CCD器件的有效像元数为1 024×1 024,像元尺寸为11μm×11μm,有效光敏面积为11.3mm×11.3mm,光响应波长范围为400~1 100nm。成像区域横向分为2个区,纵向分为2个区,可由1路、2路和4路输出,有9种读出模式。该器件具有2×2的像元合并功能,能作为512×512(像元尺寸为22μm×22μm)和规格的器件使用。该器件数据速率为4×40M,数据速率高。器件采用MPP工作模式,暗电流低;采用薄栅氧化,具有100krad(Si)抗辐照能力;适合在高温、辐照环境和微光环境下成像应用。
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内容分析
关键词云
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相关文献总数  
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文献信息
篇名 1024×1024全帧CCD器件
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 CCD 全帧转移 抗辐射
年,卷(期) 2011,(4) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 459-461
页数 分类号 TN386.5
字数 744字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐遵烈 21 83 5.0 8.0
2 翁雪涛 10 10 2.0 2.0
3 周建勇 8 10 2.0 2.0
4 龙飞 11 58 3.0 7.0
传播情况
(/次)
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (1)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2005(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2011(0)
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  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
CCD
全帧转移
抗辐射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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