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1024×1024全帧CCD器件
1024×1024全帧CCD器件
作者:
周建勇
唐遵烈
翁雪涛
龙飞
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CCD
全帧转移
抗辐射
摘要:
采用2μm设计规则,在2μm工艺线上,成功研制了1 024×1 024全帧CCD器件。该1 024×1 024全帧CCD器件的有效像元数为1 024×1 024,像元尺寸为11μm×11μm,有效光敏面积为11.3mm×11.3mm,光响应波长范围为400~1 100nm。成像区域横向分为2个区,纵向分为2个区,可由1路、2路和4路输出,有9种读出模式。该器件具有2×2的像元合并功能,能作为512×512(像元尺寸为22μm×22μm)和规格的器件使用。该器件数据速率为4×40M,数据速率高。器件采用MPP工作模式,暗电流低;采用薄栅氧化,具有100krad(Si)抗辐照能力;适合在高温、辐照环境和微光环境下成像应用。
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内容分析
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期刊文献
内容分析
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关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
1024×1024全帧CCD器件
来源期刊
半导体光电
学科
工学
关键词
CCD
全帧转移
抗辐射
年,卷(期)
2011,(4)
所属期刊栏目
光电器件
研究方向
页码范围
459-461
页数
分类号
TN386.5
字数
744字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
唐遵烈
21
83
5.0
8.0
2
翁雪涛
10
10
2.0
2.0
3
周建勇
8
10
2.0
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4
龙飞
11
58
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2011(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
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节点文献
CCD
全帧转移
抗辐射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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