高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征

• 作者: 张莹 曹建明 李岳 田立飞 秦杰明 董中伟
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压 陶瓷 n-ZnO 透明
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 431-435
• 分类号: TQ174.13
• 语种: 中文

摘要

本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,迁移率为23 cm2·V-1·s-1,良好的n型导电性来自于Zn1和Vo施主缺陷的贡献.本文的结果对ZnO陶瓷在紫外发光等光电子器件领域的应用具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张莹	长春理工大学材料科学与工程学院	42	83	5.0	6.0
2	李岳	长春理工大学材料科学与工程学院	22	127	6.0	10.0
3	秦杰明	长春理工大学材料科学与工程学院	19	32	3.0	5.0
7	田立飞	长春理工大学材料科学与工程学院	4	16	2.0	4.0
8	曹建明	长春理工大学材料科学与工程学院	4	16	2.0	4.0
9	董中伟	长春理工大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0