InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究

• 作者: 任晓敏 叶显 张霞 王琦 郭经纬 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米线异质结构 InxGa1-xAs 组分渐变缓冲层 金属有机化学气相沉淀法
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 421-426
• 分类号: TB383
• 语种: 中文

摘要

利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs 三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永清	北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室	196	987	13.0	18.0
2	任晓敏	北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室	189	942	13.0	18.0
3	黄辉	北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室	59	282	10.0	12.0
4	王琦	北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室	82	480	13.0	19.0
5	叶显	北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	郭经纬	北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0