ZnO压敏电阻残压比的影响因素分析

• 作者: 何金良 刘俊 胡军 龙望成
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO压敏电阻 避雷器 残压比 维诺网格 晶界模型 数值仿真
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 过电压与绝缘
• 页码范围: 555-561
• 分类号: TM726
• 字数: 4058字
• 语种: 中文

摘要

ZnO压敏电阻作为避雷器的核心元件,已经被广泛地应用于电力系统雷电防护设备之中.残压比是ZnO压敏电阻避雷器的重要参数,它决定了电力系统的过电压保护水平和电力设备绝缘要求.为此,分析了ZnO压敏电阻残压比的宏观影响因素,利用维诺网格模型和晶界导电模型研究了微结构参数和晶界参数对ZnO压敏电阻残压比的影响规律.晶粒尺寸、晶粒不均匀度、晶粒施主数密度和晶界表面态密度主要在参考电压区域影响残压比,而晶粒电阻率主要在残压区域影响残压比.基于相关分析结论,提出了低残压比ZnO压敏电阻的试验研究路线,为研究低残压比ZnO压敏电阻提供了基本的理论依据和指导方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何金良	清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室	191	4481	38.0	55.0
2	刘俊	清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室	25	449	14.0	21.0
3	胡军	清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室	36	347	10.0	18.0
4	龙望成	清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室	5	172	5.0	5.0