PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究

• 作者: 余学峰 卢健 周东 崔江维 席善斌 李明 王飞 许发月 高博
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: PDSOI SRAM 总剂量效应 功耗电流 退火效应
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 452-456
• 页数: 5页
• 分类号: O571.33|TN431.1
• 字数: 3893字
• 语种: 中文

摘要

通过对PDSOI CMOS静态随机存储器(SRAM)在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律,以及不同温度(25℃和100℃)条件的退火行为进行研究,探讨了SOI工艺SRAM的总剂量辐射损伤机制及辐照环境中功耗电流变化与器件功能之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及星用器件的辐射损伤评估提供途径和方法.