衬底温度对AIN薄膜结构及电阻率的影响

• 作者: 杨成韬 毛世平 薛守迪 解群眺
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: AIN薄膜 衬底温度 XRD 原子力显微镜(AFM)
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 压电功能材料
• 页码范围: 475-478
• 分类号: TN65
• 字数: 2858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2011.03.036

摘要

采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AIN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征.结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AIN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳.一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω·cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨成韬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	67	255	8.0	12.0
2	解群眺	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	23	3.0	4.0
3	薛守迪	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	16	3.0	3.0
4	毛世平		6	17	3.0	4.0