TiC-MoSi2复合材料的原位合成及其低温氧化特性

• 作者: 唐思文 王金林 颜建辉
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 原位合成 TiC-MoSi2复合材料 预氧化 低温氧化性能
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 5-9
• 分类号: TG146.4|TB333.1
• 语种: 中文

摘要

为了改善MoSi2力学性能和低温抗氧化性能,选用TiC颗粒来增强补韧MoSi2,通过XRD和SEM表征合成MoSi2基复合材料的微观结构并研究了预氧化对MoSi2基复合材料低温抗氧化性能的影响.结果表明,采用Mo、Si、Ti、C粉末可以自蔓延原位合成20 v01%TiC-MoSi2复合材料.复合材料在500℃氧化240 h增重1.261 mg·cm-2,氧化动力学呈线性关系,生成疏松多孔的氧化层导致"粉化"现象发生.经1200℃预氧化处理,20 v01%TiC-MoSi2复合材料在500℃氧化240 h增重4.83×10-mg·cm-2.预氧化处理后的材料表面形成致密的TiO2和SiO2复合膜抑制了TiC-MoSi2材料出现低温"粉化"现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜建辉	湖南科技大学新材料制备及应用技术研究所	62	412	13.0	16.0
2	唐思文	湖南科技大学新材料制备及应用技术研究所	49	360	12.0	15.0
3	王金林	湖南科技大学新材料制备及应用技术研究所	4	17	2.0	4.0