最佳缓冲层下微晶硅薄膜pin型太阳电池的数值模拟

• 作者: 卢景霄 张伟丽 杨仕娥 王志永 谷锦华 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 p/i界面缓冲层 AMPS-1D J-V特性 量子效率QE 晶化率Xc
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 页码范围: 1450-1454
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3184字
• 语种: 中文

摘要

运用由美国宾州大学开发的AMPS-1D计算机模拟软件,模拟了在最佳缓冲层和无缓冲层的情况下,太阳电池的各性能参数随本征层厚度的变化、太阳电池的J-V特性和量子效率以及不同晶化率的本征活性层对太阳电池各性能参数和量子效率的影响.模拟结果表明:在最佳缓冲层100nm时,太阳电池的各性能参数比无缓冲层时有所提高；随着本征层晶化率Xc的增大,太阳电池的量子效率QE在长波段有明显提高；本征层晶化率高的太阳电池,具有较高的短路电流.Jsc,低的开路电压Voc、转换效率Eff和填充因子FF.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学物理工程学院教育部重点材料物理实验室	52	301	10.0	14.0
2	陈永生	郑州大学物理工程学院教育部重点材料物理实验室	67	484	11.0	19.0
3	杨仕娥	郑州大学物理工程学院教育部重点材料物理实验室	68	513	12.0	18.0
4	张伟丽	郑州大学物理工程学院教育部重点材料物理实验室	1	0	0.0	0.0
5	卢景霄	郑州大学物理工程学院教育部重点材料物理实验室	100	570	12.0	17.0
6	王志永	郑州大学物理工程学院教育部重点材料物理实验室	9	27	4.0	5.0