日立制作所开发成功单芯片高压集成电路

• 作者: 沈熙磊
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 日立制作所 功率半导体 栅源 漏极 高集成化 产品价格 超声波诊断 加利福尼亚州 混合电路 汽车电子
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 11-11
• 页数: 1页
• 分类号: F416.63

摘要

【正】日立制作所日前宣布,开发出了有关中高耐压(35～300 V左右)晶体管的两项技术,其中一项是在一枚芯片上集成源漏极耐压各不相同的多个晶体管的技术,另一项是可将栅源极耐压提高至300 V的技术。日立表示,采用这2两项技术的产品将在2011年内开始供货。