SiNx插入层的生长位置对GaN外延薄膜性质的影响

• 作者: 徐培强 江洋 王小丽 王文新 贾海强 陈弘 陈耀 马紫光
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) GaN SiNx 高分辨X射线衍射
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 1014-1019
• 分类号: O472
• 字数: 1975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113210.1014

摘要

系统研究了纳米量级的多孔 SiNx插入层生长位置对高质量GaN外延薄膜性质的影响.高分辨X射线衍射测量结果表明:SiNx插入层生长在CaN粗糙层上能够得到最好的晶体质量.利用测量结果分别计算出了螺位错和刃位错的密度.此外,GaN薄膜的光学、电学性质分别用Raman散射能谱、低温光致发光能谱和霍尔测量的方法进行了表征.实验发现:SiNx插入层的生长位置对GaN薄膜的应变大小基本没有影响；但插入层的位置改变了薄膜中的本征载流子浓度.