发射层对指数掺杂Ga1-χAlχ As/GaAs光阴极性能的影响

• 作者: 常本康 张俊举 张益军 熊雅娟 赵静
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学薄膜 Ga1-χAlχAs/GaAs 光电阴极 光学性能 光电发射性能 光谱曲线
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 119-124
• 分类号: O462.3
• 字数: 4093字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.02.001

摘要

为了探索发射层厚度对指数掺杂Ga1-χAlχAs/GaAs光电阴极光学性能与光电发射性能的影响,实验制备了两种发射层厚度不同的阴极样品,并测试得到400μm～1 000 nm内反射率、透射率与光谱响应曲线.实验结果说明发射层2.0 μm厚的样品比1.6μm厚的样品性能更好.利用薄膜光学矩阵理论公式计算阴极膜系反射率、透射率、吸收率与发射层厚度的关系公式,并对原有的量子效率公式进行光谱反射率和短波截止限的修正.用修正后的公式仿真不同发射层厚度下光阴极吸收率与光谱响应曲线,指出发射层厚度对阴极光学性能与光电发射性能的不同影响.进一步计算得到指数掺杂的Ga1-χAlχAs/GaAs光电阴极最佳发射层厚度范围是1.8μm～2.4μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常本康	南京理工大学电子工程与光电技术学院	234	2020	19.0	30.0
2	张益军	南京理工大学电子工程与光电技术学院	28	105	6.0	8.0
3	熊雅娟	南京理工大学电子工程与光电技术学院	5	18	3.0	4.0
4	张俊举	南京理工大学电子工程与光电技术学院	67	693	11.0	22.0
5	赵静	南京理工大学电子工程与光电技术学院	11	53	5.0	7.0