蛋膜结构WO3纳米材料的制备及其H2S气敏性能

• 作者: 卢鑫 周建国 崔天露 牛新书
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钨 蛋膜 气敏性能 H2S
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 40-42
• 分类号: TB383.1
• 字数: 2165字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.03.012

摘要

以鸡蛋壳内膜为模板,通过简单环保的液相浸渍技术结合煅烧工艺制备了具有蛋膜结构特征的WO<,3>纳米材料.利用XRD、SEM对其物相、结构进行了表征.结果表明:采用此方法制备的WO<,3>纳米材料为单斜晶相,且很好地复制了蛋膜的交叉网状结构.利用该材料制成气敏元件,并采用静态配气法测试了元件的气敏性能.研究发现:元件在200℃下对体积分数为30×10<,-6>的H<,2>S气体的灵敏度高达89,响应时间仅为1s多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛新书		17	98	6.0	8.0
2	崔天露		1	4	1.0	1.0
3	卢鑫		1	4	1.0	1.0