氧化随机织构硅表面对单晶硅太阳电池性能的影响研究

• 作者: 刁宏伟 励旭东 周春兰 曹晓宁 李海玲 王文静 赵雷
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热氧化 随机织构 位错 太阳电池
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 767-773
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

热氧化生长的SiO2薄膜经常在高效单晶硅太阳电池中被用作扩散掩膜,化学镀掩膜,钝化层或者基本的减反射层.在这些高效太阳电池中,经常使用碱性溶液对单晶硅表面进行处理,得到随机分布的正金字塔结构的织绒表面,减少表面的光反射.表面氧化后的正金字塔太阳电池暗反向电流-电压呈现"软击穿"现象,并联电阻明显下降.研究结果表明引起这些现象的原因在于氧化正金字塔表面会导致在体内形成位错型缺陷,这些缺陷能够贯穿整个pn结,导致太阳电池的并联电阻下降,同时载流子在位错型缺陷在能隙中引入的能级处发生复合,导致空间电荷区复合电流增加.通过酸性溶液对织绒表面进行化学腐蚀之后能够减少缺陷的形成.