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摘要:
独立设计了一款S波段,带宽115 M的微带天线,并用其组成了两种阵列天线形式,分析了其单元耦合特性的不同,并用电屏蔽介质分析了去耦对辐射场的影响.进而,从软件仿真和理论分析两个角度重点分析了微带天线辐射场直接合成的方向图特性,得到了增益、辐射场、主副瓣与单元间距的关系,对未来设计微带阵列天线起到了前期预测天线特性的参考意义.
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文献信息
篇名 微带阵列天线单元耦合与辐射场合成特性研究
来源期刊 中国电子科学研究院学报 学科 工学
关键词 微带阵列天线 单元耦合 辐射场合成
年,卷(期) 2011,(1) 所属期刊栏目 "微系统技术"专题
研究方向 页码范围 1-6
页数 分类号 TN957.2
字数 3266字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-5692.2011.01.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 鲁辉 中国科学院微电子研究所 13 79 5.0 8.0
2 张立军 中国科学院微电子研究所 24 91 5.0 8.0
3 郑占旗 中国科学院微电子研究所 15 62 5.0 7.0
4 张一恒 中国科学院微电子研究所 5 19 3.0 4.0
5 冷永清 湖南大学物理与微电子科学学院 2 10 2.0 2.0
6 王梓屹 1 8 1.0 1.0
7 廖先华 兰州大学物理科学与技术学院 4 37 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
微带阵列天线
单元耦合
辐射场合成
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
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