半导体所HgTe半导体量子点研究取得新进展

• 作者: 沈熙磊
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体量子点 HGTE 输运性质 拓扑不变量 性吸引 块材 能带结构 光跃迁 材料分类 量子信息
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 14-15
• 页数: 2页
• 分类号: O471.1

摘要

【正】近年来,拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体,而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对