一种高速MaskROM的设计研究

• 作者: 冒国均 徐睿
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 掩模只读存储器 CMOS 译码 字线 速度
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 12-14,47
• 分类号: TN706
• 字数: 2179字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2011.02.004

摘要

文章分析讨论了掩模只读存储器的工作原理和结构,并结合实际工作,详细论述了一个高速的576k位MaskROM的设计与实现.针对字线负载大、速度慢的问题,从选择合适的译码方案和减少字线上RC负载两个方面,提高字线的响应速度,从而使MaskROM的读取时间有较大提高.该款MaskROM采用0.5μm CMOS工艺,电源电压5V,读取时间约为12ns,单位功耗约为1.06 mW/MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐睿	中国电子科技集团公司第五十八研究所	18	61	5.0	7.0
2	冒国均	中国电子科技集团公司第五十八研究所	1	1	1.0	1.0