电致发光成像技术在硅太阳能电池隐性缺陷检测中的应用

• 作者: 庞爱锁 李艳华 武智平 潘淼 郑兰花 陈朝
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅太阳能电池 EL 隐性缺陷 硅CCD相机
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 378-382
• 分类号: TN383.1
• 字数: 3633字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113204.0378

摘要

论述了一种利用硅太阳能电池在一定偏压下的电致发光(Electroluminescence,EL)成像来检测硅太阳能电池隐性缺陷的方法.硅太阳能电池的EL波长范围为850～1 200 nm.正向偏压下的EL光强反映了少数载流子的浓度及其扩散长度,而反向偏压下的EL区和发光强度对应于电池的缺陷区域和缺陷密度.用硅CCD相机对硅太阳能电池的EL快速成像,然后根据EL成像的明暗强度可检测出电池的隐性缺陷.由于内在缺陷处EL强度比外在缺陷处受温度的影响更敏感,所以可利用电池缺陷处EL强度随温度变化的差异来辨别缺陷的类型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理与机电工程学院	63	420	11.0	18.0
5	李艳华	厦门大学物理与机电工程学院	3	39	2.0	3.0
6	潘淼	厦门大学物理与机电工程学院	7	72	3.0	7.0
7	庞爱锁	厦门大学物理与机电工程学院	5	63	2.0	5.0
8	武智平	厦门大学物理与机电工程学院	2	34	2.0	2.0
9	郑兰花	厦门大学材料学院	3	36	2.0	3.0