CCD强光饱和效应的温度因素分析

• 作者: 李化 聂劲松 郝向南
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: CCD饱和效应 有限元分析 暗电流 像元饱和阈值 温度影响
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 激光技术
• 页码范围: 54-58
• 分类号: TN249
• 字数: 1904字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2011.07.010

摘要

采用1.06 μm的连续激光对可见光CCD成像系统进行干扰实验,依次观察到了饱和串扰、串扰亮线加粗全屏饱和与全屏布满黑白雪花点的实验现象.利用有限元分析的方法对实验中的探测器升温情况进行模拟计算.并通过数值分析,发现随着温度的升高,暗电流不断增大,当温度超过350 K时,增大的速度显著上升;像元的饱和阈值相应地减小,当温度达到350 K时,其数值就已经减为零.根据模拟升温的大小,结合温度升高时探测器暗电流、像元饱和阈值的变化,对实验现象进行了合理的解释.结果表明:除了考虑光电转换产生的光电子以外,由于激光辐照导致探测器表面升温,进而引起暗电流增大和像元饱和阈值减小,是CCD产生饱和效应的重要影响因素.