重掺杂AZO透明导电薄膜的光电特性

• 作者: 刘稳 吕有明 曹培江 朱德亮 林传强 柳文军 贾芳 马晓翠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AZO薄膜 Burstein-Moss效应 光电特性
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 特邀报告
• 页码范围: 307-312
• 分类号: O484.4
• 字数: 4054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113204.0307

摘要

以Al质量分数为2%的ZnO陶瓷靶为靶材,在氧气气氛中,采用脉冲激光沉积方法(PLD)在石英衬底表面生长了重掺杂的ZnO:Al(AZO)薄膜.通过X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、微区拉曼光谱仪、霍尔测量仪对合成薄膜材料的晶体结构、光学、电学性质等进行了研究.结果表明:所制备的AZO薄膜呈现具有高度c轴择优取向的ZnO纤锌矿结构;重掺杂下的AZO显示了简并半导体的性质,电学呈现出了类金属特性;在可见光区域透过率＞80%,吸收边和紫外发光峰出现了明显的蓝移现象,被归结为重掺杂下引起的Burstein-Moss效应导致光学带隙展宽.