4H-SiC中基面位错发光特性研究

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕 苗瑞霞
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 基面位错 发光特性 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 745-748
• 分类号: O481
• 语种: 中文

摘要

本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究.结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530 nm附近和480 nm附近.从测试结果中还发现BMD的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯矢量方向只受到拉应力,致使禁带宽度变窄,而BMD同时具有螺型位错的分量和刃型位错的分量,正是刃型位错中部分原子受到压应力的作用,导致禁带宽度增宽,从而使得BMD的发光波长比BTSD短.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	汤晓燕	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	24	144	7.0	11.0
4	苗瑞霞	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	4	2.0	2.0