采用MBE生长1.6～2.3μm InGaAsSb/AIGaAsSb多量子阱

• 作者: 刘国军 尤明慧 李占国 李林 李梅 王晓华 薄报学 高欣
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱 分子束外延
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 282-284
• 分类号: O482.31
• 字数: 1557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113203.0282

摘要

采用分子束外延生长了不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料.X射线衍射发现量子阱材料有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱的界面均匀性和质量较好.研究了不同In组分与光致发光波长的关系,光荧光谱测试表明.所制备的不同In组分的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料,在室温下的发光波长可以覆盖1.6～2.3 μm的范围.