多片式热壁 MOCVD 反应器的设计与数值模拟分析

• 作者: 于海群 左然 彭鑫鑫 陈景升
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaN 生长 热壁反应器 数值模拟
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 207-212
• 分类号: TN304
• 字数: 2175字
• 语种: 中文

摘要

本文提出一种多反应腔并联的水平热壁 MOCVD 反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的 TMG 浓度.由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和 GaN 的生长速率.可以多个反应腔并联生长,从而实现反应器的扩容.针对这种热壁式反应器,结合 GaN 的 MOCVD 生长进行了二维数值模拟,计算了不同流速、高度、长度和压力时反应器内流场、温场、浓度场分布以及生长速率,发现存在一个最佳的气体流速、反应器高度和长度条件,在此条件下,反应前体的产生与沉积达到平衡,从而有效抵消反应前体的沿程损耗,实现均匀的 GaN 生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	于海群	江苏大学能源与动力工程学院	16	158	8.0	12.0
3	陈景升	江苏大学能源与动力工程学院	6	53	4.0	6.0
4	彭鑫鑫	江苏大学能源与动力工程学院	3	20	2.0	3.0