PrF3阳极缓冲层对OLED器件性能的影响

• 作者: 刘星元 廖亚琴 陈红
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机电致发光器件 PrF3 空穴缓冲层 功函数
• 年，卷（期）: 2011,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 929-933
• 分类号: TN383.1
• 字数: 2389字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20113209.0929

摘要

使用真空热蒸镀法制备的OLED器件,利用不同厚度的PrF3作阳极缓冲层,并和未加缓冲层的器件进行了对比.实验结果表明:0.5nm厚的PrF3阳极缓冲层可以有效增强OLED器件的空穴注入能力,增强电子和空穴的浓度平衡,优化器件的电致发光特性.器件的最大电流效率为4.9 cd/A,最大亮度为33 600 cd/m2,分别是未加入缓冲层的常规器件(3.7 cd/A,最大亮度为12 230 cd/m2)的1.3倍和2.75倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈红	中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所	71	944	19.0	27.0
2	廖亚琴	中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所	3	20	3.0	3.0
6	刘星元	中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所	16	126	7.0	11.0