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摘要:
The evolution of inter-device leakage generation technologies is studied with an N-type current with total ionizing dose in transistors in 180 nm poly-gate field device (PFD) that uses the shallow trench isolation as an effective gate oxide. The overall r
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文献信息
篇名 Radiation induced inter-device leakage degradation
来源期刊 中国物理C:英文版 学科 工学
关键词 设备泄漏 辐射诱发 计算机辅助设计技术 NMOS晶体管 退化 电离总剂量 纳米晶体管 发电技术
年,卷(期) 2011,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 769-773
页数 5页 分类号 TN386.1|TQ440.8
字数 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
设备泄漏
辐射诱发
计算机辅助设计技术
NMOS晶体管
退化
电离总剂量
纳米晶体管
发电技术
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
高能物理与核物理
月刊
chi
出版文献量(篇)
2219
总下载数(次)
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总被引数(次)
4790
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