高方块电阻发射区单晶硅太阳电池的性能优化

• 作者: 沈洲 沈鸿烈 陈军 马跃
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅太阳电池 磷扩散 高方块电阻发射区 光谱响应 转换效率
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 74-78
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2011.02.002

摘要

通过提高发射区的方块电阻和优化发射区的磷杂质浓度纵向分布,制备了性能优良的单晶硅太阳电池.I-V测量分析表明:高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池短路电流密度、开路电压和填充因子分别提高了0.32 mA/cm2,1.19 mV和0.22%,因此转换效率提高了0.22%.内量子效率分析表明:高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池短路电流密度的提高是由于短波光谱响应增强了.SEM分析表明:高表面活性磷杂质浓度浅结发射区太阳电池在发射区硅表面沉积的Ag晶粒分布数量更多、一致性更好,从而更容易收集光生电流传输到Ag栅线,改善了太阳电池的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈洲	南京航空航天大学材料科学与技术学院	5	37	3.0	5.0
2	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0