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摘要:
采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8~20GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关.首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点.然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用Ansoft Designer软件对电路进行T仿真和优化.最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关.该单刀双掷开关插入损耗在频率8~20GHz内小于1.7dB,在频率8~15GHz内小于1.5dB;开关隔离度在整个频带内大于21dB;在14GHz耐功率容量大于10W(CW).
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文献信息
篇名 宽带pin二极管单刀双掷开关的设计与实现
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 pin二极管 单刀双掷开关 插入损耗 隔离度 宽带
年,卷(期) 2011,(3) 所属期刊栏目 集成电路设计与应用
研究方向 页码范围 238-241
页数 分类号 TN631
字数 1745字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.03.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨瑞霞 河北工业大学信息工程学院 180 759 13.0 18.0
2 贾英茜 河北工业大学信息工程学院 13 100 6.0 9.0
6 吴景峰 中国电子科技集团公司第十三研究所 20 105 5.0 9.0
7 王立发 河北工业大学信息工程学院 9 65 5.0 8.0
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研究主题发展历程
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pin二极管
单刀双掷开关
插入损耗
隔离度
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半导体技术
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1003-353X
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